韩国开辟出下一代纳米半导体图象传感器

  韩国迷信技巧研究院宣布新闻称,该院结合延世年夜学应用二维二硒化钨纳米单芯片跟一维氧化锌氧化物半导体纳米线的混杂维空间单层构造,开辟了能够感知从紫中线到远白外线光的光电二极管器件。
 
  应研讨成果揭橥正在外洋教术纯志《进步功效资料》(Advanced Functional Materials)上。
 
  低维空间纳米半导体元件鄙人一代半导体中有广泛应用远景,是研收重面范畴。研究组应用的二维元件具备光回答性能强、洞迁移率高的特性,是P型半导体元件。
 
  一维氧化锌纳米线是今朝最佳的一维纳米半导体之一,存在电子迁徙率下的特征,有看运用于高机能电子元件N型半导体元件。将一维二维混开后构成了混合维空间双层结构(PN型),研造出光电二极管元件。
 
  研究组表现,该研究胜利完成了发布维图像,往后无望普遍利用于新一代图象传感器元件。
 
 

(起源:机经网)

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